日時： 2022年5月20日（金）公開
タイトル： 次世代パワーデバイス評価に必須！高電圧光絶縁プローブによる測定
内容：
次世代GaN/SiCデバイスの特性評価には最高でnsオーダーの急峻な立ち上がり波形を測定できる十分な帯域と、大きなコモンモードノイズをリジェクトできる高周波における十分なCMRRを持ったプローブが必要となります。特に高電圧にフローティングした状態での小振幅信号を測定しなければならないハイサイドゲート波形測定は条件が厳しく、従来型の高電圧プローブでは期待する結果が得られないことが多々生じます。今回は1GHz帯域の高電圧光絶縁プローブを使った次世代デバイスの特性測定を他のプローブの結果と比較し有効性を検証します。
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