日時： 2024年7月19日（金）公開
タイトル： ワイドバンドギャップ半導体に対応したパワエレ測定技術
内容：
炭化ケイ素(４H-SiC)や窒化ガリウム(GaN)のようなワイドバンドギャップ半導体は、従来のシリコン(Si)に比べて高い絶縁体圧や熱伝導率などの優れた特性によりインバータなどの電力変換回路の高効率化、小型化を実現して普及がすすんでいます。現在多くの企業や研究所において、さらなる性能向上を目指して研究開発が進められています。こうした半導体を用いた回路では、高電圧で高速なスイッチング動作をするため、計測においても新たな計測技術が求められています。特に、高電圧、広帯域、高CMRRという特性を持つプローブが理想的です。また、スイッチング動作の詳細な解析のためJEDECの推奨するダブルパルス法のような計測手法の重要性も高まっています。本セミナーにおいては、テレダイン・レクロイが提案するプローブおよびパワーデバイス解析ソフトウェアを用いたパワエレ測定のご紹介をさせていただきます。
日本パワーエレクトロニクス協会のYoutubeより講演動画をご覧いただけます
https://www.youtube.com/watch?v=1Vm4Rf4PJNY&t
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